芯片是工业制造的最高水平体现，中国的芯片制程此前只有28纳米的精度，最近有好消息传出，我国造出新型光刻机，可以实现22NM工艺制程，已经投入使用。
光刻机对于芯片来说，是非常重要的制造设备，美国为了封锁技术，甚至不让荷兰等国家向我国出口光刻机。现在我国中科院光电技术研究所已经通过科研，实现了制造国产的超分辨新型光刻机，并且通过了相关的验收和测试。
这让网友们都非常欣喜，毕竟美国发布的芯片法案，就是为了封锁我国的芯片科技，而且美国还在近期把台积电工厂迁移到美国去，看出霸权国家对于芯片领域的掌控。
我国最新研发出的光刻机，拥有自主知识产权的加工能力，使用深紫外级和极紫外级中间的技术方式，而且不涉及到国外厂商的专利。
国际方面使用深紫外光源的光刻机是很常见的，分辨率的上限是34纳米，目前的技术水平都不能突破这个天花板。如果想要让分辨率再继续提升，需要进行曝光技术的加持，而且成本会有显著的提升。
光刻机在生产加工芯片时的作用，就是用特殊的光源来在芯片上进行雕刻，这种用光波的方式进行生产，光的宽窄参数非常重要。
中科院光电所研发光刻机从20世纪初期就开始了，到现在已经马上有20年的时间了。该所研发的技术主要是使用光线照射金属膜，产生因电子震动的长或者短的电磁波，再用这种波进行光刻。中科院光电所研发的这种技术，相比世界上最先进的荷兰公司的技术，是有所区别的。
荷兰的ASML公司是世界都知名的光刻机巨头企业，目前的光刻机加工极限为7纳米制程，使用的光源是极紫外光源，分辨率是13.5纳米，而且使用的条件非常苛刻，需要在真空条件下进行使用，这种光刻机的价格也非常昂贵。
而我国这次造出来的新型光刻机，也叫做超分辨力光刻机，使用的波长光源，分辨率为22纳米，在远离上突破了分辨力的极限，形成了自主知识产权，为芯片领域提供了更好的制造工具，还能机型加工纳米器件等。
美国虽然一直想要阻止我国在高新领域的进程，尤其对于芯片行业更是虎视眈眈，不想让我国接触到这项技术。但是我国的中科院光电研究所，已经有了很多关于芯片领域的技术突破，不仅掌控了光刻镜头技术，还有精密间隙纳米级的监测定位等等一系列的核心专利技术。
这次公布的消息我国能建造的22纳米制程的工艺技术，已经投入使用到哪里呢，应用到了中国航天集团第八研究院和多所大学在研究任务都使用到了。
我国的光刻机国产化还有很长的路要走，但是目前的进展也很鼓舞人心了，毕竟在西方技术垄断，我国起步晚，全靠自主研发的情况下，还是真的不容易。
除了这次新建造出来的新型光刻机，我国上海微电子公司也有90纳米的光刻机设备，但是和中国科学院光电所的22nm光刻机相比，技术还是有高下之分。
而且因为制程精度的区别，我国很多企业在西方国家封锁不严重时，还从荷兰采购高价的光刻机，但是随着美国施加压力，我国再想走进口渠道，也是有很多认为的障碍。最好的解决方法，就是中国科研团体能攻克光刻机的瓶颈，实现自主研发和建造需要的光刻机。
因为制造芯片的方式目前全世界都离不开光刻机，未来一段时期内，想要满足企业的生产需求，推出精度制程更高的设备，国产光刻机的研发和技术提升还任重道远，一旦未来能够实现更高的技术跨越，将会惠及多个行业，为我国的科技腾飞打下坚实的基础。
那么这款光刻机目前是否存在设计瑕疵和问题呢？
任何一款新推出的科研产品，都有着还需要解决和优化的部分，这个国产光刻机也不例外，目前因为是直写式不能实现规模化量产，暂时和国际上先进的光刻机设备对比，效率是有差距。
美国的芯片制造制程精度，已经可以实现5纳米芯片的加工，而且还在量子计算机领域使用了电子束光刻机，精密效果也是非常不错。
但是也存在和我国光刻机遇到的同样问题，就是如何能实现电子束光刻机的量产问题，看来高新技术领域的科研难题，几乎都有一整套流程要走，哪个过国家的科学家在这场马拉松比赛中耐力更好，综合素质更佳，谁就会更加领先跑到终点获取科研成果。